MMDF3N02HDR2參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：90毫歐@3A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：18nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：630pF@16V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
ONSOP82023+93350全新原廠原裝現(xiàn)貨
