MMDF1N05ER2
PDF資料下載

MMDF1N05ER2參數(shù)：MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10
系列：-
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：50V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：300毫歐@1.5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12.5nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：330pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN