MMBFJ175LT1G
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MMBFJ175LT1G參數(shù)：JFET SS P-CHAN 25V SOT23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)時(shí)的電流-漏極(Idss)：7mA@15V
漏源極電壓(Vdss)：-
漏極電流(Id)-最大值：-
FET類型：P溝道
電壓-擊穿(V(BR)GSS)：30V
不同Id時(shí)的電壓-截止（VGS關(guān)）：3V@10nA
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：11pF@10V（VGS）
電阻-RDS（開(kāi)）：125歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：225mW