MMBFJ175LT1G
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MMBFJ175LT1G參數：JFET SS P-CHAN 25V SOT23

類別：分立半導體產品-JFET（結點場效應
產品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)時的電流-漏極(Idss)：7mA@15V
漏源極電壓(Vdss)：-
漏極電流(Id)-最大值：-
FET類型：P溝道
電壓-擊穿(V(BR)GSS)：30V
不同Id時的電壓-截止（VGS關）：3V@10nA
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：11pF@10V（VGS）
電阻-RDS（開）：125歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：225mW