MMBFJ110
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MMBFJ110參數：IC SWITCH N-CH 3-SSOT

類別：分立半導體產品-JFET（結點場效應
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：10mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：-
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：25V
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：4V @ 10nA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
電阻 - RDS（開）：18 歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-SMD，鷗翼型
供應商器件封裝：SuperSOT-3
功率 - 最大值：460mW