MMBFJ112
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MMBFJ112參數(shù)：IC SWITCH ANALOG N-CH SOT-23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)時的電流-漏極(Idss)：5mA@15V
漏源極電壓(Vdss)：-
漏極電流(Id)-最大值：-
FET類型：N溝道
電壓-擊穿(V(BR)GSS)：35V
不同Id時的電壓-截止（VGS關(guān)）：1V@1µA
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-
電阻-RDS（開）：50歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：350mW