IXBX75N170A
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IXBX75N170A參數(shù)：IGBT BIMOSFET 1700V 110A PLUS247

類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標準包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：6V @ 15V，42A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：110A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：3.8mJ（關）
輸入類型：標準
Gate Charge：358nC
Td (on/off) A 25°C：26ns/418ns
Test Condition：-
反向恢復時間 (trr)：360ns
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：*