IXBT42N170A
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IXBT42N170A參數：IGBT 1700V 42A 350W TO268

類別：分立半導體產品-IGBT - 單路
標準包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：6V @ 15V，21A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：42A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
功率 - 最大值：350W
Switching Energy：2.8mJ（關）
輸入類型：標準
Gate Charge：155nC
Td (on/off) A 25°C：25ns/230ns
Test Condition：-
反向恢復時間 (trr)：330ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：TO-268