IGD01N120H2
PDF資料下載

IGD01N120H2參數(shù)：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類(lèi)型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，1A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3.2A
Current - Collector Pulsed (Icm)：3.5A
功率 - 最大值：28W
Switching Energy：140µJ
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：8.6nC
Td (on/off) A 25°C：13ns/370ns
Test Condition：800V, 1A, 241 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3