IGD01N120H2
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IGD01N120H2參數：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

類別：分立半導體產品-IGBT - 單路
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，1A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3.2A
Current - Collector Pulsed (Icm)：3.5A
功率 - 最大值：28W
Switching Energy：140µJ
輸入類型：標準
Gate Charge：8.6nC
Td (on/off) A 25°C：13ns/370ns
Test Condition：800V, 1A, 241 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr)：-
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：PG-TO252-3