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HGT1S20N35G3VLS參數：IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路PCNObsolescence： PDN#Q108016517/Jan/2008標準包裝：50系列：-包裝：管件IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：380V不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：2.8V@5V，20A電流-集電極(Ic)（最大值）：20ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：-功率-最大值：150WSwitchingEnergy：-輸入類型：邏輯GateCharge：28.7nCTd(on/off)A25°C：-TestCondition：-反向恢復時間(trr)：-封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-263AB
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