HGT1S10N120BNST
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HGT1S10N120BNST參數(shù)：IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：-
包裝：帶卷(TR)
IGBT類型：NPT
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic時(shí)的?Vce(on)：2.7V@15V，10A
電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
Current-CollectorPulsed(Icm)：80A
功率-最大值：298W
SwitchingEnergy：0.32mJ(開),0.80mJ(關(guān))
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
GateCharge：100nC
Td(on/off)A25°C：23ns/165ns
TestCondition：960V,10A,10歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB