FQI11P06TU
PDF資料下載

FQI11P06TU參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：QFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11.4A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：175 毫歐 @ 5.7A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：550pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK