FQI11P06TU參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：QFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：11.4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：175 毫歐 @ 5.7A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：550pF @ 25V功率 - 最大值：3.13W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
