FQB8N60CFTM參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：FRFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.26A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.5歐姆@3.13A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1255pF@25V功率-最大值：147W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D²PAK