FQB8N60CTM參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：7.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@3.75A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1255pF@25V功率-最大值：3.13W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2Pak）
