FDS6812A參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 20V 6.7A 8SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 6.7A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1082pF @ 10V功率 - 最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC N
