FDS6692A
PDF資料下載

FDS6692A參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11.5毫歐@9A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：29nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1610pF@15V
功率-最大值：1.47W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN