FDS6692A參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11.5毫歐@9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：29nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1610pF@15V功率-最大值：1.47W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
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