FDD306P參數：MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.8V驅動漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：28毫歐@6.7A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：21nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1290pF@6V功率-最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252-3
FAIRCTO-252(DPAK)2023+9600全新原廠原裝現貨
