FDD306P
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FDD306P參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.8V驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.7A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：28毫歐@6.7A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：21nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1290pF@6V
功率-最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3