FDD3510H參數(shù)：IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：80V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4.3A，2.8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 4.3A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 40V功率 - 最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD供應(yīng)商器件封裝：TO-252-4L
