CSD25401Q3
PDF資料下載

CSD25401Q3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
標準包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11.7毫歐@10A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.3nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1400pF@10V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SON