CSD25211W1015
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CSD25211W1015參數：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：NexFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：3.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：570pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-UFBGA，DSBGA
供應商器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）