CSD25303W1015
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CSD25303W1015參數：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview
標準包裝：3,000
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：58毫歐@1.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.3nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：435pF@10V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-UFBGA，DSBGA
供應商器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）