ATP218-TL-H
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ATP218-TL-H參數：MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 50A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：70nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6600pF @ 10V
功率 - 最大值：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝：ATPAK（2 引線 + 接片）
供應商器件封裝：ATPAK