ATP212-TL-H參數(shù):MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: ATPAKPackageP-Channel&N-ChannelTop標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):23毫歐@18A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):-不同Vgs時的柵極電荷(Qg):34.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1820pF@20V功率-最大值:40W安裝類型:表面貼裝封裝:ATPAK(2引線+接片)供應(yīng)商器件封裝:ATPAK