APTM100SK18TG
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APTM100SK18TG參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：43A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：210 毫歐 @ 21.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：372nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10400pF @ 25V
功率 - 最大值：780W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP4
供應(yīng)商器件封裝：SP4