APTM100H45SCTG
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APTM100H45SCTG參數：MOSFET 4N CH 1000V 18A SP4

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：1
系列：POWER MOS 7®
包裝：散裝
FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：18A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：540 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：154nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4350pF @ 25V
功率 - 最大值：357W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP4
供應商器件封裝：SP4