2SK545-11D-TB-E參數(shù)：MOSFET J-FET N-CH CP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點場效應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：60µA @ 10V漏源極電壓 (Vdss)：40V漏極電流 (Id) - 最大值：1mAFET 類型：N 溝道電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：1.5V @ 1µA不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1.7pF @ 10V電阻 - RDS（開）：-安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：3-CP功率 - 最大值：125mW
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