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2SK545-11D-TB-E參數(shù)：MOSFET J-FET N-CH CP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss)：60µA @ 10V
漏源極電壓 (Vdss)：40V
漏極電流 (Id) - 最大值：1mA
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：1.5V @ 1µA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1.7pF @ 10V
電阻 - RDS（開）：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-CP
功率 - 最大值：125mW