ZXMN6A09DN8TA
PDF資料下載

ZXMN6A09DN8TA參數：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：4.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 8.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24.2nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1407pF @ 40V
功率 - 最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP