ZXMHC10A07N8TC參數(shù)：MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N?通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：800mA，680mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：700 毫歐 @ 1.5A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2.9nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：138pF @ 60V功率 - 最大值：870mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
