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VS-GB90DA60U參數：TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：160系列：HEXFRED®IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，100A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：147A電流 - 集電極截止（最大值）：100µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：-功率 - 最大值：625W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4供應商器件封裝：SOT-227
