UNR411100A
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UNR411100A參數：TRANS PNP W/RES 35HFE NS-B1

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
產品目錄繪圖： NS-B1TypeSide NS-B1TypeFront
標準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶盒（TB）
晶體管類型：PNP-預偏壓
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：10k
電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：80MHz
功率-最大值：300mW
安裝類型：通孔
封裝：NS-B1
供應商器件封裝：NS-B1