TPS1101DG4參數(shù)：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：15V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.25nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：791mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
