TPN22006NH,LQ參數(shù)：MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 4.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：710pF @ 30V功率 - 最大值：18W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級
