TPN14006NH,L1Q
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TPN14006NH,L1Q參數(shù)：MOSFET N CH 60V 13A 8TSON

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：13A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：14 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1300pF @ 30V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級