TPCF8101(TE85L)
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TPCF8101(TE85L)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.8V驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：28毫歐@3A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1600pF@10V
功率-最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）