TK8P60W,RVQ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 8A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：500 毫歐 @ 4A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 400µA， 10V不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18.5nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：570pF @ 300V功率 - 最大值：80W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
