TK100L60W,VQ
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TK100L60W,VQ參數：MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：100
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA， 10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：360nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15000pF @ 30V
功率 - 最大值：797W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3PL
供應商器件封裝：TO-3P（L）