STS9D8NH3LL
PDF資料下載

STS9D8NH3LL參數(shù)：MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它有關(guān)文件： STS9D8NH3LLViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：STripFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A，9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：22毫歐@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：857pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO