STN2NE10L
PDF資料下載

STN2NE10L參數：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：4,000
系列：STripFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：345pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SOT-223