STN1NK60Z參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STN1NK60ZViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：SuperMESH™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：300mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：15歐姆@400mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.9nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：94pF@25V功率-最大值：3.3W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
