STI10N62K3
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STI10N62K3參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STI10N62K3ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：SuperMESH3™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：620V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：750毫歐@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：42nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1250pF@50V
功率-最大值：125W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK