STE110NS20FD
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STE110NS20FD參數：MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：10
系列：MESH OVERLAY™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：110A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：504nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7900pF @ 25V
功率 - 最大值：500W
安裝類型：底座安裝
封裝：ISOTOP
供應商器件封裝：ISOTOP?