STD96N3LLH6參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STD96N3LLH6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：STripFET™DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.2毫歐@40A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：20nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2200pF@25V功率-最大值：70W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
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