STD80N4F6參數(shù)：MOSF N CH 40V 80A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STD80N4F6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6毫歐@40A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2150pF@25V功率-最大值：70W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
