STD5N20LT4
PDF資料下載

STD5N20LT4參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STD5N20LViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：STripFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：700毫歐@2.5A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@50µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：242pF@25V
功率-最大值：33W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak