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STD4N52K3參數(shù)：MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STD4N52K3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：SuperMESH3™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：525V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.6歐姆@1.25A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：334pF@100V功率-最大值：45W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3長引線，IPak，TO-251AB供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
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