STD2NK90ZT4參數(shù):MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STD2NK90ZViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:SuperMESH™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):900V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):6.5歐姆@1.05A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):485pF@25V功率-最大值:70W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak