STD2N62K3
PDF資料下載

STD2N62K3參數(shù)：MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STD2N62K3ViewAllSpecifications
標準包裝：2,500
系列：SuperMESH3™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：620V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.6歐姆@1.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：340pF@50V
功率-最大值：45W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak